儀器簡(jiǎn)介

快速熱處理設(shè)備，主要用于硅及化合物半導(dǎo)體材料離子注入后的缺陷消除/激活雜質(zhì)，硅化物形成，金屬蒸鍍后歐姆/肖特基接觸的制備，消除薄膜應(yīng)力，提高薄膜附著性等方面。

性能指標(biāo)

最大溫度范圍：150℃-1100℃；升溫速率10-180℃/秒，可預(yù)設(shè)定，過(guò)沖溫度3℃以內(nèi) ；密封石英盒尺寸：210×140×14mm，適合6"及以下基片；PC機(jī)控制，可編程，實(shí)時(shí)溫度曲線顯示及存儲(chǔ)功能；雙閉環(huán)溫度控制，穩(wěn)態(tài)溫度穩(wěn)定性±2℃。

應(yīng)用范圍

該設(shè)備具有很好的長(zhǎng)時(shí)間工作穩(wěn)定性以及快速升降溫，慢速升降溫的功能，因此也可用于各種半導(dǎo)體材料PVD/CVD工藝的熱處理。

工藝圖：